प्रोम और ईपीरोम के बीच अंतर

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प्रोम बनाम ईपीरोम

इलेक्ट्रॉनिक्स और कंप्यूटिंग में, मेमोरी तत्व डेटा को स्टोर करने और बाद में उन्हें पुनः प्राप्त करने के लिए आवश्यक हैं। प्रारंभिक अवस्था में, चुंबकीय टेप का उपयोग स्मृति के रूप में किया जाता था और अर्धचालक क्रांति के साथ अर्धचालक के आधार पर स्मृति तत्व भी विकसित किए गए थे। EPROM और EEPROM गैर-वाष्पशील अर्धचालक मेमोरी प्रकार हैं।

यदि कोई मेमोरी एलिमेंट पावर से डिस्कनेक्ट होने के बाद डेटा को बरकरार नहीं रख सकता है, तो इसे वोलेटाइल मेमोरी एलिमेंट के रूप में जाना जाता है। PROMs और EPROMs गैर-वाष्पशील मेमोरी सेल (यानी वे बिजली से डिस्कनेक्ट होने के बाद डेटा को बनाए रखने में सक्षम हैं) में अग्रणी प्रौद्योगिकियां थीं, जिसके कारण आधुनिक सॉलिड स्टेट मेमोरी डिवाइस का विकास हुआ।

प्रोम क्या है?

PROM का अर्थ प्रोग्रामेबल रीड ओनली मेमोरी है, एक प्रकार की गैर-वाष्पशील मेमोरी जिसे वेंग त्सिंग चाउ द्वारा 1959 में अमेरिकी वायु सेना के अनुरोध पर एटलस ई और एफ आईसीबीएम मॉडल ऑनबोर्ड (एयरबोर्न) की मेमोरी के विकल्प के रूप में बनाया गया था।) डिजिटल कम्प्यूटर। उन्हें वन-टाइम प्रोग्रामेबल नॉन-वोलेटाइल मेमोरी (OTP NVM) और फील्ड प्रोग्रामेबल रीड ओनली मेमोरी (FPROM) के रूप में भी जाना जाता है। वर्तमान में इनका व्यापक रूप से माइक्रोकंट्रोलर, मोबाइल फोन, रेडियो फ्रीक्वेंसी आइडेंटिफिकेशन कार्ड (RFID), हाई डेफिनिशन मीडिया इंटरफेस (HDMI), और वीडियो गेम कंट्रोलर में उपयोग किया जाता है।

प्रोम पर लिखा गया डेटा स्थायी होता है और इसे बदला नहीं जा सकता; इसलिए, वे आमतौर पर स्थिर मेमोरी जैसे उपकरणों के फर्मवेयर के रूप में उपयोग किए जाते हैं। प्रारंभिक कंप्यूटर BIOS चिप्स भी PROM चिप्स थे। प्रोग्रामिंग से पहले, चिप में केवल "1" मान वाले बिट्स होते हैं। प्रोग्रामिंग प्रक्रिया में, प्रत्येक फ्यूज बिट्स को उड़ाकर केवल आवश्यक बिट्स को शून्य "0" में परिवर्तित किया जाता है। एक बार चिप को प्रोग्राम करने के बाद प्रक्रिया अपरिवर्तनीय है; इसलिए, ये मूल्य अपरिवर्तनीय और स्थायी हैं।

निर्माण प्रौद्योगिकी के आधार पर, डेटा को वेफर, अंतिम परीक्षण, या सिस्टम एकीकरण स्तरों पर प्रोग्राम किया जा सकता है। इन्हें एक PROM प्रोग्रामर का उपयोग करके प्रोग्राम किया जाता है जो चिप को प्रोग्राम करने के लिए अपेक्षाकृत बड़े वोल्टेज को लागू करके प्रत्येक बिट के फ़्यूज़ को उड़ा देता है (आमतौर पर 2nm मोटी परत के लिए 6V)। PROM कोशिकाएँ ROM से भिन्न होती हैं; उन्हें निर्माण के बाद भी प्रोग्राम किया जा सकता है, जबकि ROM को केवल निर्माण में ही प्रोग्राम किया जा सकता है।

EPROM क्या है?

EPROM का मतलब इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड ओनली मेमोरी है, यह गैर-वाष्पशील मेमोरी डिवाइस की एक श्रेणी भी है जिसे प्रोग्राम किया जा सकता है और मिटाया भी जा सकता है। EPROM को 1971 में Intel में Dov Frohman द्वारा विकसित किया गया था, जो दोषपूर्ण एकीकृत परिपथों की जाँच के आधार पर किया गया था जहाँ ट्रांजिस्टर के गेट कनेक्शन टूट गए थे।

एक EPROM मेमोरी सेल फ्लोटिंग गेट फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर का एक बड़ा संग्रह है। डेटा (प्रत्येक बिट) एक प्रोग्रामर का उपयोग करके चिप के अंदर अलग-अलग फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर पर लिखा जाता है जो अंदर स्रोत नाली संपर्क बनाता है।सेल एड्रेस के आधार पर एक विशेष FET डेटा को स्टोर करता है और इस ऑपरेशन में सामान्य डिजिटल सर्किट ऑपरेटिंग वोल्टेज की तुलना में बहुत अधिक वोल्टेज का उपयोग किया जाता है। जब वोल्टेज हटा दिया जाता है, तो इलेक्ट्रॉन इलेक्ट्रोड में फंस जाते हैं। इसकी बहुत कम चालकता के कारण फाटकों के बीच सिलिकॉन डाइऑक्साइड (SiO2) इन्सुलेशन परत लंबे समय तक चार्ज को बरकरार रखती है, इसलिए मेमोरी को दस से बीस साल तक बनाए रखती है।

एक EPROM चिप को मजबूत UV स्रोत जैसे कि मरकरी वेपर लैंप के संपर्क में आने से मिटा दिया जाता है। 300nm से कम तरंग दैर्ध्य के साथ यूवी प्रकाश का उपयोग करके इरेज़र किया जा सकता है और करीब सीमा (<3cm) पर 20-30 मिनट के लिए उजागर किया जा सकता है। इसके लिए EPROM पैकेज एक फ्यूज्ड क्वार्ट्ज विंडो के साथ बनाया गया है जो सिलिकॉन चिप को प्रकाश में उजागर करता है। इसलिए, एक EPROM को इस विशेषता वाली फ़्यूज्ड क्वार्ट्ज़ विंडो से आसानी से पहचाना जा सकता है। एक्स-रे का उपयोग करके भी मिटाया जा सकता है।

EPROMs मूल रूप से बड़े सर्किट में स्थिर मेमोरी स्टोर के रूप में उपयोग किए जाते हैं। कंप्यूटर मदरबोर्ड में उनका व्यापक रूप से BIOS चिप्स के रूप में उपयोग किया जाता था, लेकिन उन्हें EEPROM जैसी नई तकनीकों द्वारा स्थानांतरित कर दिया जाता है, जो सस्ती, छोटी और तेज होती हैं।

प्रोम और ईपीरोम में क्या अंतर है?

• PROM पुरानी तकनीक है जबकि PROM और EPROM दोनों ही गैर-वाष्पशील मेमोरी डिवाइस हैं।

• PROM को केवल एक बार प्रोग्राम किया जा सकता है जबकि EPROMs पुन: प्रयोज्य हैं और कई बार प्रोग्राम किए जा सकते हैं।

• PROMS की प्रोग्रामिंग में प्रक्रिया अपरिवर्तनीय है; इसलिए स्मृति स्थायी है। EPROMs में यूवी प्रकाश के संपर्क में आने से मेमोरी को मिटाया जा सकता है।

• EPROM में इसकी अनुमति देने के लिए पैकेजिंग में एक फ्यूज्ड क्वार्ट्ज विंडो है। प्रोम पूर्ण प्लास्टिक पैकेजिंग में संलग्न हैं; इसलिए यूवी का PROMs पर कोई प्रभाव नहीं है

• PROMs में डिजिटल सर्किट में उपयोग किए जाने वाले औसत वोल्टेज की तुलना में बहुत अधिक वोल्टेज का उपयोग करके प्रत्येक बिट पर फ़्यूज़ को उड़ाकर डेटा को चिप पर लिखा/प्रोग्राम किया जाता है। EPROMS भी उच्च वोल्टेज का उपयोग करता है, लेकिन अर्धचालक परत को स्थायी रूप से बदलने के लिए पर्याप्त नहीं है।

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