नंद फ्लैश बनाम एनओआर फ्लैश
फ्लैश मेमोरी आधुनिक कंप्यूटिंग सिस्टम और मोबाइल उपकरणों और उपभोक्ता उपकरणों की एक विस्तृत श्रृंखला में सबसे अधिक उपयोग की जाने वाली गैर-वाष्पशील अर्धचालक मेमोरी प्रकारों में से एक है। NAND फ़्लैश और NOR फ़्लैश फ़्लैश तकनीक के प्रमुख रूप हैं। फ्लैश मेमोरी तकनीक EEPROM का एक विस्तार है और NAND/NOR मेमोरी उपकरणों के निर्माण में उपयोग किए जाने वाले गेट आर्किटेक्चर के लिए है।
नंद फ्लैश क्या है?
फ्लैश चिप्स को इरेज़ सेगमेंट में विभाजित किया जाता है जिसे ब्लॉक कहा जाता है, और डेटा को इन इरेज़ ब्लॉक्स में स्टोर किया जाता है। नंद फ्लैश आर्किटेक्चर में, ये ब्लॉक क्रमिक रूप से जुड़े हुए हैं।मिटाए गए ब्लॉक का आकार 8kB से 32kB तक है, जो छोटे होते हैं, जिससे पढ़ने, लिखने और गति को मिटाने की अनुमति मिलती है। इसके अलावा, नंद डिवाइस एक जटिल क्रमिक रूप से जुड़े इंटरफ़ेस का उपयोग करके जुड़े हुए हैं और इंटरफ़ेस निर्माता से निर्माता में भिन्न हो सकता है। सामान्य तौर पर, डेटा जानकारी को संप्रेषित करने, नियंत्रित करने और पुनः प्राप्त करने के लिए आठ पिन का उपयोग किया जाता है। एक ही पल में, सभी आठ पिन कार्यरत होते हैं, आम तौर पर 512kB बर्स्ट में डेटा स्थानांतरित करते हैं।
संरचनात्मक रूप से NAND आर्किटेक्चर को छोटे ब्लॉक आकार के लिए रैंडम एक्सेस क्षमता के ट्रेडऑफ के रूप में अनुकूलित उच्च घनत्व लिथोग्राफी के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह लागत प्रति वॉल्यूम के मामले में नंद फ्लैश मेमोरी को सस्ता बनाता है। सिद्धांत रूप में, NAND फ्लैश का घनत्व NOR फ्लैश से दोगुना है।
नंद फ्लैश डेटा भंडारण उद्देश्यों के लिए उपयुक्त है। पीसी कार्ड, कॉम्पैक्ट फ्लैश, एसडी कार्ड और एमपी3 प्लेयर मेमोरी के रूप में नंद फ्लैश ड्राइव का उपयोग करते हैं।
NOR Flash क्या है?
NOR फ्लैश मेमोरी दो प्रकार की फ्लैश मेमोरी में पुरानी है।एनओआर फ्लैश के आंतरिक सर्किट विन्यास में, अलग-अलग मेमोरी सेल समानांतर में जुड़े हुए हैं; इसलिए, डेटा को यादृच्छिक क्रम में एक्सेस किया जा सकता है। इस रैंडम एक्सेस क्षमता के कारण NOR के पास निष्पादन के लिए जानकारी प्राप्त करते समय बहुत कम समय पढ़ा जाता है। NOR प्रकार का फ्लैश विश्वसनीय है और कम फ़्लिपिंग समस्याओं का कारण बनता है।
NOR फ्लैश में इरेज़ ब्लॉक्स का घनत्व NAND आर्किटेक्चर से कम होता है। इसलिए, प्रति वॉल्यूम लागत अधिक है। यह स्टैंडबाय पर भी उच्च स्तर की ऊर्जा की खपत करता है, हालांकि, ऑपरेशन के दौरान, यह नंद फ्लैश की तुलना में अपेक्षाकृत कम स्तर की ऊर्जा की खपत करता है। साथ ही, लिखने की गति और मिटाने की गति कम है। लेकिन रैंडम एक्सेस आर्किटेक्चर में निर्माण के कारण NOR फ्लैश के साथ कोड निष्पादन बहुत अधिक है।
NOR फ्लैश का उपयोग डिवाइस में कोड स्टोरेज के लिए किया जाता है, जैसे डिजिटल कैमरों की कोड स्टोरेज यूनिट और अन्य एम्बेडेड एप्लिकेशन।
नंद फ्लैश और नॉर फ्लैश में क्या अंतर है?
• NAND फ्लैश आर्किटेक्चर से NOR फ्लैश पुराना है।
• NAND फ़्लैश में NOR फ़्लैश की तुलना में मिटाए गए ब्लॉक का घनत्व बहुत अधिक होता है।
• NAND फ्लैश आर्किटेक्चर में, मिटाए गए ब्लॉक क्रमिक रूप से जुड़े होते हैं, जबकि NOR फ्लैश में, वे समानांतर में जुड़े होते हैं।
• NAND का एक्सेस प्रकार अनुक्रमिक है जबकि NOR के पास रैंडम एक्सेस है।
• इसलिए NOR की पढ़ने की गति NAND से तेज है।
• NAND फ़्लैश की तुलना में NOR फ़्लैश की मिटाने की गति बहुत धीमी है, और NOR की लिखने की गति भी धीमी है।
• NAND 100,000-1,000,000 चक्रों को मिटा सकता है जबकि NOR केवल 10,000-100,000 चक्रों को ही बनाए रख सकता है।
• NOR फ़्लैश अधिक विश्वसनीय है और इसमें बिट फ़्लिपिंग का प्रतिशत कम है, जबकि NAND फ़्लैश में त्रुटि प्रबंधन के लिए अतिरिक्त बिट की आवश्यकता होती है।
• NAND फ्लैश डेटा स्टोरेज के लिए उपयुक्त हैं जबकि NOR फ्लैश कोड स्टोरेज के लिए उपयुक्त हैं।
• NAND फ्लैश मेमोरी लागत प्रति वॉल्यूम के संदर्भ में NOR फ्लैश मेमोरी की तुलना में सस्ती है।
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